民德电子

29日收盘，移动支付概念板块指数报11104.81点，涨幅0.22%，成交275.0亿元，换手2.26%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：生 意 宝报18.86元，跌-6.03%。金溢科技报22.96元，跌-6.55%。超讯通信报29.30元，跌-9.32%。涨幅最大的前3个股为：有方科技报43.56元，涨7.82%；湘邮科技报15.24元，涨5.25%；民德电子报22.98元，涨5.12%。

29日收盘，电子身份证概念板块指数报1070.65点，涨幅0.76%，成交80.72亿元，换手2.00%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：拓尔思报17.18元，跌-3.54%。优博讯报14.90元，跌-4.61%。*ST精伦报2.79元，跌-5.10%。涨幅最大的前3个股为：汉威科技报41.05元，涨8.23%；民德电子报22.98元，涨5.12%；ST英飞拓报2.13元，涨4.93%。

29日收盘，IGBT概念概念板块指数报750.03点，涨幅0.90%，成交167.6亿元，换手1.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.78元，跌-2.85%。国电南瑞报22.21元，跌-3.85%。ST华微报6.39元，跌-5.05%。涨幅最大的前3个股为：利欧股份报3.77元，涨9.91%；宏微科技报15.44元，涨5.46%；民德电子报22.98元，涨5.12%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

29日收盘，氮化镓概念板块指数报1188.39点，涨幅0.95%，成交114.6亿元，换手1.74%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：和而泰报18.90元，跌-0.53%。三安光电报12.12元，跌-0.74%。安克创新报84.02元，跌-1.15%。涨幅最大的前3个股为：民德电子报22.98元，涨5.12%；芯导科技报43.44元，涨4.55%；亚光科技报5.50元，涨2.80%。

财迅通4月21日消息，民德电子（300656.SZ）晚间发布公告，民德电子于2024年4月19日经第三届董事会第三十一次会议审议通过，决定使用自有资金以集中竞价交易方式回购部分股份，回购资金总额不低于3000万元且不超过6000万元，实施期限为自董事会审议通过之日起12个月内，回购价格不超过30.16元/股，回购目的为用于股权激励和员工持股计划。

本次回购方案截止目前累计回购股份数量为120.72万股，占总股本的0.7054%，成交价格介于17.08元/股至26.93元/股之间，累计成交总金额为3009.91万元。

本次回购股份将全部用于股权激励和员工持股计划，若三年内未用完或未成功实施，未使用部分将依法注销。

回购期间，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事、监事、高级管理人员未买卖公司股份。

截止04月21日民德电子总股本为17,112.51万股。

18日收盘，IGBT概念概念板块指数报737.96点，跌幅0.87%，成交136.6亿元，换手1.04%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：民德电子报22.87元，跌-4.31%。天龙股份报18.46元，跌-4.45%。上海贝岭报36.51元，跌-4.97%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报18.96元，涨1.66%；聚飞光电报5.76元，涨1.05%；广电电气报4.02元，涨1.01%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

18日收盘，氮化镓概念板块指数报1153.25点，跌幅0.58%，成交130.2亿元，换手2.07%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：深康佳Ａ报4.86元，跌-4.14%。民德电子报22.87元，跌-4.31%。星徽股份报4.41元，跌-6.17%。涨幅最大的前3个股为：和而泰报18.92元，涨2.83%；安克创新报79.52元，涨2.47%；乾照光电报10.42元，涨1.76%。

18日收盘，电子身份证概念板块指数报1057.14点，跌幅0.08%，成交75.30亿元，换手2.03%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：新 大 陆报26.31元，跌-2.12%。中国软件报45.25元，跌-2.69%。民德电子报22.87元，跌-4.31%。涨幅最大的前3个股为：京北方报18.83元，涨5.97%；正元智慧报14.01元，涨3.24%；远方信息报11.13元，涨1.37%。

18日收盘，移动支付概念板块指数报10920.16点，涨幅0.05%，成交208.7亿元，换手1.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：创识科技报24.24元，跌-3.54%。翠微股份报8.30元，跌-4.16%。民德电子报22.87元，跌-4.31%。涨幅最大的前3个股为：ST天喻报4.04元，涨4.12%；大唐电信报8.14元，涨3.83%；天迈科技报35.91元，涨3.46%。

17日收盘，IGBT概念概念板块指数报744.46点，涨幅0.01%，成交182.5亿元，换手1.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.32元，跌-1.68%。民德电子报23.90元，跌-2.05%。振华科技报54.90元，跌-7.25%。涨幅最大的前3个股为：上海贝岭报38.42元，涨4.63%；银河微电报21.68元，涨2.55%；东微半导报39.01元，涨2.07%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。