11日收盘，氮化镓概念板块指数报1158.85点，涨幅3.82%，成交250.3亿元，换手3.46%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：乾照光电报10.53元，跌-2.05%。海陆重工报7.51元，跌-2.09%。建业股份报17.48元，跌-2.67%。涨幅最大的前3个股为：富满微报31.14元，涨20.00%；民德电子报25.62元，涨20.00%；华峰测控报159.80元，涨14.21%。
氮化镓是一种无机物，化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。它通常为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、耐高压和坚硬等特性，非常适用于极端环境。氮化镓存在三种晶体结构：纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿结构，其中六方纤锌矿是稳态结构，立方闪锌矿为亚稳态结构，而立方岩盐矿仅在极端高压下出现。在室温下，氮化镓的化学性质稳定，耐酸碱、耐腐蚀，不溶于水，与浓无机酸不反应，仅稍与稀酸作用，并在热碱溶液中缓慢溶解。氮化镓在空气中加热到800℃开始氧化，1050℃开始分解，展现出高稳定性。其禁带宽度可通过固溶体的制备在氮化铟的0.6电子伏（eV）到氮化镓的3.4电子伏（eV），再到氮化铝的6.2电子伏（eV）之间连续变化，发光波段覆盖从近红外到可见光区（红、黄、蓝、绿）再到深紫外区，因此是一种理想的发光器件材料，具有高发光效率，主要应用于氮化镓基发光二极管（LEDs）、激光二极管（LDs）和紫外光探测器等领域。作为第三代半导体材料的代表，氮化镓不仅是当前世界上最为先进的半导体材料之一，还因其优良的物理化学性质而广泛应用于蓝绿光发光二极管、激光器、紫外探测器以及高温、大功率集成电路等器件，并可作为环保新材料应用于环境保护。鉴于其种种优异特性，氮化镓材料和器件的研究正日益成为关注的焦点。
氮化镓根据晶体结构的不同，主要分为纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿结构。纤锌矿氮化镓属于六方晶系，每个晶包含六个镓原子和六个氮原子，其晶格常数为a=0.3189纳米，c=0.5185纳米，且沿C轴镓原子与氮原子构成的双层原子密排面以ABABABAB方式堆积。这种结构是氮化镓晶体管进行高电子迁移率晶体管（HEMT）操作的关键。闪锌矿氮化镓则属于立方晶系，每个晶包包含四个镓原子和四个氮原子，其原子排布与金刚石结构相似。另外，纤锌矿结构的氮化镓在高压下可能发生相变，转变为岩盐矿结构的氮化镓，这一过程是可逆的，压力消失后岩盐矿结构会重新转变为更稳定的纤锌矿结构。同时，闪锌矿结构的氮化镓在高温下也不稳定，有可能转化成岩盐矿结构或纤锌矿结构的氮化镓。
氮化镓产业链上游原材料主要包括氮化镓衬底及氮化镓外延片，其中代表性衬底供应商有天科合达半导体、中镓半导体、纳维科技、芯元基半导体科技等，而代表性外延片供应商则包括中国电科、英诺赛科、晶湛半导体等。中游为氮化镓器件制造商，经营模式分为设计制造一体、设计和代工厂两类，设计制造一体代表性参与方有士兰微电子、华润微电子、三光安电、镓未来等，设计类代表性参与方有中兴微电子、海思半导体，代工厂则包括方正微电子、三安光电、台积电等。下游应用领域广泛，涵盖光电子、射频电子和电力电子三大方向，其中光电子领域包括消菌杀毒、激光显示、LED照明和显示等，射频电子领域涉及卫星通讯、移动终端、国防军工、无线通信基站等，电力电子领域则应用于智能电网、工业电机、新能源汽车和电源转换系统等。目前，中国氮化镓产业链已初步形成，整体产业结构相对集中在中游，国产企业正逐步切入氮化镓行业，主要代表企业集中在江苏地区。在衬底方面，主要采用碳化硅衬底，但进口依赖严重，国产化程度较低，中国厂商全球市占率仅约10%。外延片方面主要采用金属有机气相化学沉积的生长方法。碳化硅衬底因与氮化镓器件匹配度高、性能好且成本相对较低而得到广泛应用。当前，中国氮化镓中游代表企业每月产能在2,000片至10,000片不等，整体产能较低但呈逐渐扩大趋势。随着多条产线的逐渐投产，未来产能将不断扩大。尽管目前氮化镓在半导体市场中的渗透率较低，但随着中国半导体市场规模的逐年增长，氮化镓的应用场景将不断丰富，发展空间也将持续拓展。