26日收盘，IGBT概念概念板块指数报820.63点，涨幅1.02%，成交267.8亿元，换手2.36%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：科威尔报30.96元，跌-0.61%。扬杰科技报46.34元，跌-0.66%。民德电子报25.17元，跌-0.67%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.49元，涨10.09%；东微半导报46.35元，涨3.92%；TCL中环报9.45元，涨3.39%。
IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。
按照封装形式，IGBT产品可以分为IGBT模块、IPM模块和IGBT单管（分立IGBT）。IGBT模块是将多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，特点是外部电路简单、工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块，即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等）的IGBT模块，其可靠性较高，使用简单，特别适合中小功率逆变器。而IGBT单管（分立IGBT）的封装较小，是体现IGBT制造商核心技术的产品，结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展现状呈现多元化。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域厂商。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商，中游为制造与封测厂商，下游同样为各应用领域厂商。整个IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备采购，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商而言，其上游还包括晶圆制造、封装及测试等环节的代工厂商。中游IGBT厂商以Fabless厂商为主，如派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户包括比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则有阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要力量。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域的应用日益广泛；同时，在新能源汽车领域，随着电压和功率的大幅提升，IGBT已成为标配，随着新能源汽车的推广，IGBT的需求进一步得到增长。