东微半导

22日收盘，充电桩概念板块指数报2217.33点，跌幅0.67%，成交531.1亿元，换手1.94%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：球冠电缆报12.92元，跌-6.04%。海兴电力报30.15元，跌-8.36%。英维克报31.01元，跌-9.99%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；勘设股份报7.02元，涨6.20%；东微半导报41.70元，涨6.13%。

充电桩概念与交流充电桩有密切关联，交流充电桩行业是随着新能源汽车的蓬勃发展而日益增长的一个领域，涉及的产品包括交流充电桩和直流充电桩，这些设备为电动汽车提供充电服务，功能类似于燃油车的加油站。从商业模式看，充电桩分为自用、专用和公共三种，服务于不同场景和用户。充电桩的主要技术涵盖电力转换、智能控制模块和充电保护，确保了电能的安全有效转化和传输。交流充电桩与直流充电桩在充电速度和设施要求上有所区别，前者充电时间较长但设备成本较低，后者充电速度快但成本较高。随着新能源汽车销量的攀升及全球渗透率的提升，预计到2030年新能源汽车的销量将超过半数，充电桩行业的发展前景广阔。未来该行业可能会致力于提高充电速度、提升充电桩性能及在材料使用上的创新，以应对市场需求和技术挑战。

22日收盘，储能概念板块指数报1621.42点，跌幅0.54%，成交700.9亿元，换手1.23%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：迪尔化工报14.86元，跌-7.30%。科泰电源报27.62元，跌-9.77%。英维克报31.01元，跌-9.99%。涨幅最大的前3个股为：振华股份报19.39元，涨9.98%；东微半导报41.70元，涨6.13%；国中水务报4.23元，涨4.44%。

储能概念与氢储能有密切关联，氢储能有狭义和广义之分。狭义的氢储能主要依靠电解槽、储氢罐和燃料电池为主要装置，实现“电‒氢‒电”（Power-to-Power，P2P）的能源转换过程。具体来说，它利用低谷期富余的新能源电能进行电解水制氢，将氢气储存起来或供下游产业使用；而在用电高峰期时，储存的氢能则通过燃料电池发电并入公共电网。广义的氢储能则更注重“电‒氢”单向转换（Power-to-Gas，P2G），氢气的存储形态可以是气态、液态或固态；若考虑更安全的存储形态，氢气还可转化成甲醇和氨气等化学衍生物（Power-to-X，P2X）。

22日收盘，IGBT概念概念板块指数报756.31点，涨幅0.81%，成交199.3亿元，换手2.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报32.77元，跌-1.15%。威孚高科报19.41元，跌-1.37%。皇庭国际报3.10元，跌-6.91%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；东微半导报41.70元，涨6.13%；银河微电报23.34元，涨5.90%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

17日收盘，IGBT概念概念板块指数报744.46点，涨幅0.01%，成交182.5亿元，换手1.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.32元，跌-1.68%。民德电子报23.90元，跌-2.05%。振华科技报54.90元，跌-7.25%。涨幅最大的前3个股为：上海贝岭报38.42元，涨4.63%；银河微电报21.68元，涨2.55%；东微半导报39.01元，涨2.07%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

财迅通3月26日讯，东微半导（688261.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：尊敬的董秘，您好：请问贵公司有无6G基站通信方面的技术储备？

答：尊敬的投资者您好!公司产品已用于各类5G基站电源及通信电源相关领域，公司也将积极配合相关客户的6G技术应用。感谢您的关注！

问：董秘您好！请问贵公司是否已经部署了DeepSeek？如果已经部署了，请问主要应用于哪些具体的业务？公司接入DeepSeek有哪些成本、收益方面的考量？如果公司计划在未来再进行部署，计划将DeepSeek应用于什么具体的业务呢？我们投资者非常期待您的回复，谢谢！

答：尊敬的投资者您好！ 公司目前暂未部署DeepSeek。公司持续密切关注前沿新技术发展趋势，并会结合公司战略规划与实际业务需求，积极探索各种新技术在公司相关业务场景中的应用，提升内在价值，增强公司的综合竞争实力。感谢您的关注！

问：收购的电征科技在算力服务器电源领域已经有研究成果了吗？大概多久可以量产出货？

答：尊敬的投资者您好! 电征科技专注于算力服务器电源和新能源功率模块的研发、生产和销售，现阶段已实现相关产品在算力服务器电源模块领域的小批量出货。感谢您的关注！

14日收盘，IGBT概念概念板块指数报826.12点，涨幅1.41%，成交277.2亿元，换手2.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.60元，跌-0.95%。振华科技报54.95元，跌-2.79%。民德电子报25.85元，跌-3.44%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报375.94元，涨6.05%；时代电气报48.57元，涨4.95%；东微半导报45.20元，涨4.10%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

7日收盘，IGBT概念概念板块指数报812.99点，跌幅0.42%，成交320.7亿元，换手4.48%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：东微半导报44.07元，跌-2.33%。士兰微报26.02元，跌-2.44%。台基股份报34.11元，跌-2.49%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报23.46元，涨9.01%；利欧股份报4.52元，涨6.60%；振华科技报48.22元，涨3.77%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

28日收盘，IGBT概念概念板块指数报783.05点，跌幅3.95%，成交304.1亿元，换手2.43%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：捷捷微电报33.28元，跌-6.73%。宏微科技报17.73元，跌-6.73%。东微半导报42.86元，跌-7.23%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报5.84元，涨4.85%；国电南瑞报23.45元，涨1.30%；威孚高科报21.61元，涨0.84%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺，MOSFET可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

26日收盘，IGBT概念概念板块指数报820.63点，涨幅1.02%，成交267.8亿元，换手2.36%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：科威尔报30.96元，跌-0.61%。扬杰科技报46.34元，跌-0.66%。民德电子报25.17元，跌-0.67%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.49元，涨10.09%；东微半导报46.35元，涨3.92%；TCL中环报9.45元，涨3.39%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。

24日收盘，IGBT概念概念板块指数报815.13点，涨幅0.14%，成交351.1亿元，换手3.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：捷捷微电报36.74元，跌-1.87%。黄山谷捷报58.31元，跌-2.02%。东微半导报44.35元，跌-2.42%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报21.35元，涨8.60%；ST华微报5.08元，涨4.53%；利欧股份报4.57元，涨4.10%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。