28日收盘，IGBT概念概念板块指数报783.05点，跌幅3.95%，成交304.1亿元，换手2.43%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：捷捷微电报33.28元，跌-6.73%。宏微科技报17.73元，跌-6.73%。东微半导报42.86元，跌-7.23%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报5.84元，涨4.85%；国电南瑞报23.45元，涨1.30%；威孚高科报21.61元，涨0.84%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺，MOSFET可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块，即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），可靠性高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管，也称为分立IGBT，封装较小，电流通常在50A以下，结构简单，常见有TO247、TO3P等封装形式，是体现IGBT制造商水平的核心技术之一。
IGBT产业链的发展现状呈现多元化。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域厂商。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商，中游为制造与封测厂商，下游同样为各应用领域厂商。IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备采购，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商而言，其上游还包括晶圆制造、封装及测试等环节的代工厂商。中游IGBT厂商以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域客户涵盖比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。光伏与新能源汽车的双轮驱动，成为带动IGBT需求持续增长的重要动力。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域应用广泛，随着光伏装机量的持续增长，对IGBT的需求也迅速攀升。同时，在纯电动车时代，电压、功率的大幅提升使得IGBT成为标配，新能源汽车的推广进一步推动了IGBT需求的增长。