斯达半导

25日收盘，宁组合概念板块指数报483.07点，涨幅0.83%，成交258.3亿元，换手1.01%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：北方华创报453.28元，跌-0.64%。斯达半导报83.02元，跌-0.84%。泰格医药报45.05元，跌-0.97%。涨幅最大的前3个股为：阳光电源报58.82元，涨3.56%；爱尔眼科报13.11元，涨3.07%；爱美客报177.19元，涨2.55%。

17日收盘，宁组合概念板块指数报471.94点，跌幅0.11%，成交198.9亿元，换手0.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：亿纬锂能报39.73元，跌-1.02%。华熙生物报47.77元，跌-1.30%。韦尔股份报122.40元，跌-1.47%。涨幅最大的前3个股为：迈瑞医疗报221.66元，涨3.94%；斯达半导报85.33元，涨1.38%；宁德时代报226.00元，涨0.49%。

19日收盘，IGBT概念概念板块指数报828.7点，跌幅1.11%，成交214.9亿元，换手1.78%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报94.57元，跌-2.35%。黄山谷捷报62.36元，跌-3.09%。ST华微报6.63元，跌-3.77%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.75元，涨3.31%；比亚迪报397.07元，涨3.25%；TCL中环报9.15元，涨1.22%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道、N沟道4种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

19日收盘，宁组合概念板块指数报556.87点，跌幅0.48%，成交395.1亿元，换手1.09%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报94.57元，跌-2.35%。泰格医药报57.73元，跌-2.42%。中微公司报198.60元，跌-2.65%。涨幅最大的前3个股为：宁德时代报265.39元，涨3.26%；比亚迪报397.07元，涨3.25%；汇川技术报72.74元，涨2.60%。

13日收盘，宁组合概念板块指数报536.14点，跌幅0.52%，成交316.3亿元，换手1.09%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：韦尔股份报137.20元，跌-2.61%。斯达半导报92.88元，跌-2.97%。汇川技术报72.40元，跌-3.08%。涨幅最大的前3个股为：爱美客报200.23元，涨3.75%；科沃斯报61.00元，涨2.95%；华熙生物报51.01元，涨2.35%。

12日收盘，宁组合概念板块指数报538.96点，跌幅0.54%，成交337.7亿元，换手1.17%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：福斯特报14.89元，跌-2.04%。爱美客报193.00元，跌-3.98%。汇川技术报74.70元，跌-4.29%。涨幅最大的前3个股为：斯达半导报95.72元，涨5.38%；三安光电报12.77元，涨3.99%；泰格医药报56.61元，涨1.27%。

12日收盘，IGBT概念概念板块指数报828.41点，涨幅0.76%，成交290.4亿元，换手2.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：紫光国微报70.70元，跌-1.23%。TCL中环报9.03元，跌-1.31%。威孚高科报26.10元，跌-6.18%。涨幅最大的前3个股为：广电电气报5.13元，涨10.09%；斯达半导报95.72元，涨5.38%；振华科技报53.30元，涨3.86%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

11日收盘，IGBT概念概念板块指数报822.15点，涨幅0.84%，成交259.7亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报90.83元，跌-0.83%。派瑞股份报15.84元，跌-0.88%。上海贝岭报36.62元，跌-0.92%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报27.82元，涨7.79%；振华科技报51.32元，涨7.03%；ST华微报6.75元，涨4.98%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

4日收盘，宁组合概念板块指数报536.99点，跌幅0.37%，成交434.2亿元，换手1.37%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：亿纬锂能报49.25元，跌-3.43%。宁德时代报263.00元，跌-3.85%。比亚迪报344.84元，跌-4.27%。涨幅最大的前3个股为：斯达半导报92.34元，涨3.53%；隆基绿能报17.43元，涨2.47%；汇川技术报74.07元，涨2.29%。

20日收盘，碳化硅概念板块指数报1321.13点，涨幅0.87%，成交154.1亿元，换手3.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报93.59元，跌-0.96%。蓝海华腾报22.70元，跌-1.43%。通富微电报29.88元，跌-1.81%。涨幅最大的前3个股为：楚江新材报8.74元，涨6.07%；国星光电报11.51元，涨3.79%；科创新源报25.51元，涨3.28%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。