IGBT概念板块指数微跌,个股表现分化
3日收盘,IGBT概念概念板块指数报773.72点,跌幅0.81%,成交148.4亿元,换手1.21%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:长电科技报34.37元,跌-2.44%。银河微电报23.40元,跌-2.74%。维科精密报25.22元,跌-3.11%。涨幅最大的前3个股为:振华科技报58.13元,涨3.93%;ST华微报7.10元,涨3.05%;国电南瑞报22.33元,涨1.96%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。