IGBT概念板块指数跌3.95%,成交304.1亿
28日收盘,IGBT概念概念板块指数报783.05点,跌幅3.95%,成交304.1亿元,换手2.43%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:捷捷微电报33.28元,跌-6.73%。宏微科技报17.73元,跌-6.73%。东微半导报42.86元,跌-7.23%。涨幅最大的前3个股为:ST华微报5.84元,涨4.85%;国电南瑞报23.45元,涨1.30%;威孚高科报21.61元,涨0.84%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺,MOSFET可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。