28日收盘，IGBT概念概念板块指数报743.32点，跌幅1.02%，成交168.4亿元，换手1.38%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：上海贝岭报34.83元，跌-3.46%。立昂微报23.97元，跌-3.73%。博菲电气报26.95元，跌-4.33%。涨幅最大的前3个股为：天龙股份报20.36元，涨3.82%；闻泰科技报33.64元，涨3.73%；中瓷电子报46.66元，涨1.63%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
28日收盘，氮化镓概念板块指数报1177.16点，跌幅0.77%，成交128.8亿元，换手1.91%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：立昂微报23.97元，跌-3.73%。星徽股份报4.62元，跌-5.33%。海陆重工报8.79元，跌-5.69%。涨幅最大的前3个股为：*ST铖昌报34.36元，涨5.01%；闻泰科技报33.64元，涨3.73%；华峰测控报149.64元，涨2.32%。
28日收盘，汽车芯片概念板块指数报1073.53点，跌幅0.22%，成交176.8亿元，换手1.42%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：立昂微报23.97元，跌-3.73%。华岭股份报23.94元，跌-3.97%。雅创电子报46.53元，跌-5.98%。涨幅最大的前3个股为：迅捷兴报13.43元，涨11.18%；恒勃股份报54.22元，涨8.03%；杰华特报34.55元，涨5.18%。
25日收盘，第三代半导体概念板块指数报1256.81点，涨幅0.32%，成交266.9亿元，换手2.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：立昂微报24.90元，跌-3.45%。英杰电气报41.07元，跌-5.67%。华峰测控报146.25元，跌-5.89%。涨幅最大的前3个股为：智光电气报6.28元，涨9.98%；天富能源报6.93元，涨9.13%；瑞纳智能报22.30元，涨6.29%。
财迅通4月24日讯，立昂微（605358.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。
问：立昂东芯官网显示：解决了无线射频不同应用市场中对砷化镓外延生长材料性能的不同要求的关键技术，具有多种具有自主知识产权的铟镓磷（InGaP) 外延生长材料以满足高线性度、低噪音、高可靠性等的不同需求。公司的砷化镓外延片不是外采的吗，为啥能解决砷化镓外延生长中的关键技术。
答：尊敬的投资者：您好，感谢您对本公司的关注。砷化镓HBT、pHEMT器件性能主要来自于外延结构设计，利用能带剪裁、异质结带来的特殊特性实现性能提升，立昂东芯生产所需的外延片为公司设计后委托外延厂加工，材料结构的知识产权属于公司。此外，外延材料的特性需要结合工艺才能发挥作用，一些金属-半导体界面，工艺制程的蚀刻、热处理、表面处理等都会对材料特性形成影响，因此，分析外延品质、改进空间以及故障分析集中在晶圆加工产线，找到根因才是解决外延生长中关键层控制的核心要素。谢谢
问：公司官网上有IPD滤波器的技术，公司在这个技术上有没有产品出货？
24日收盘，汽车芯片概念板块指数报1081.41点，跌幅2.18%，成交198.6亿元，换手1.69%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：华岭股份报24.86元，跌-5.48%。希荻微报11.72元，跌-5.64%。恒勃股份报47.33元，跌-8.28%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.79元，涨4.75%；纳芯微报201.00元，涨0.06%；杰华特报34.94元，跌-0.06%。
24日收盘，第三代半导体概念板块指数报1252.74点，跌幅1.52%，成交264.1亿元，换手2.37%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：宁新新材报10.66元，跌-6.82%。连城数控报26.93元，跌-7.07%。同惠电子报25.82元，跌-8.76%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.79元，涨4.75%；瑞纳智能报20.98元，涨4.12%；海陆重工报9.61元，涨2.78%。
24日收盘，中芯概念概念板块指数报1242.58点，跌幅1.47%，成交235.0亿元，换手1.69%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：聚辰股份报67.20元，跌-4.83%。华特气体报51.08元，跌-4.88%。华岭股份报24.86元，跌-5.48%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.79元，涨4.75%；精测电子报64.97元，涨3.95%；晶瑞电材报8.28元，涨1.47%。
23日收盘，中芯概念概念板块指数报1261.09点，涨幅0.01%，成交286.1亿元，换手1.95%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：凯德石英报35.85元，跌-4.91%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。至纯科技报27.25元，跌-8.25%。涨幅最大的前3个股为：飞凯材料报19.80元，涨6.45%；江丰电子报74.75元，涨6.41%；徕木股份报8.07元，涨5.63%。
23日收盘，IGBT概念概念板块指数报758.15点，涨幅0.24%，成交238.8亿元，换手1.98%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-2.75%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报371.99元，涨4.83%；天龙股份报20.08元，涨4.69%；维科精密报22.92元，涨3.66%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。