广电电气

财迅通4月24日讯，广电电气（601616.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：请问董秘，公司产品出口占比约1/3，主要是出口哪些国家（地区）？关税冲突对公司出口影响大吗？

答：尊敬的投资者，您好！公司海外品牌建设和销售在东南亚、中东等市场合作取得良好成效，当前关税政策变化暂无重大不利的直接影响，公司将重视并持续跟踪关税对产业发展带来的可能影响。谢谢！。

18日收盘，IGBT概念概念板块指数报737.96点，跌幅0.87%，成交136.6亿元，换手1.04%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：民德电子报22.87元，跌-4.31%。天龙股份报18.46元，跌-4.45%。上海贝岭报36.51元，跌-4.97%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报18.96元，涨1.66%；聚飞光电报5.76元，涨1.05%；广电电气报4.02元，涨1.01%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

15日收盘，IGBT概念概念板块指数报749.18点，跌幅0.82%，成交182.7亿元，换手1.31%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：台基股份报30.87元，跌-2.59%。民德电子报24.03元，跌-4.83%。振华科技报58.45元，跌-6.60%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报6.99元，涨4.95%；广电电气报4.03元，涨0.75%；上海贝岭报37.04元，涨0.68%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，有三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)，它是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

8日收盘，IGBT概念概念板块指数报687.55点，涨幅1.34%，成交297.2亿元，换手2.60%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：博菲电气报23.28元，跌-5.29%。博敏电子报6.75元，跌-5.33%。广电电气报3.76元，跌-6.00%。涨幅最大的前3个股为：黄山谷捷报49.00元，涨10.46%；中国中车报7.02元，涨10.03%；捷捷微电报26.80元，涨6.43%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极的电流，该电流量与施加到其基极的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

财迅通3月28日讯，广电电气（601616.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：董秘你好，你公司上市至今，净利润没有一年超过亿元，股价较上市跌去百分之四五十，更别说为股东创造利润了。今年业绩增4倍只是上一年基本无利润的基础上。分七分钱红利，不够股价长期低迷。请切实实行市值管理，为普通股股东创造利润

答：尊敬的投资者，您好！感谢您对公司经营发展和业绩情况的关心。公司高度重视并将不断提升公司治理、规范运作水平，以良好的经营业绩，切实、积极回报投资者。谢谢！。

28日收盘，IGBT概念概念板块指数报781.79点，跌幅1.46%，成交151.1亿元，换手1.45%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：广电电气报4.47元，跌-3.66%。博菲电气报26.96元，跌-3.75%。黄山谷捷报53.80元，跌-4.78%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.63元，涨4.01%；ST华微报6.89元，涨0.73%；扬杰科技报46.33元，涨0.17%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

财迅通3月13日讯，广电电气（601616.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：公司是否已实际参与半导体新基建项目？

答：尊敬的投资者，您好！公司主要从事成套设备及电力电子、元器件等产品的研发、制造、销售和服务，是国内输配电领域颇具品牌知名度和影响力的资深企业之一，可以为包括半导体项目等的下游市场和领域提供配电解决方案。公司的产品和服务敬请查阅官网和定期报告。感谢您的关注！谢谢！

问：子公司AEG为新疆木垒525MW风光基地项目供应的VL-Bloc组合电器，集成了断路器、隔离开关等核心组件，具备一体化设计和智能监测功能，已成功交付并应用于新能源领域，请问是新能源汽车吗？

答：尊敬的投资者，您好！该项目为新疆木垒525MW风光基地项目供应VL-Bloc组合电器，不涉及新能源汽车。感谢您的关注！谢谢！

问：广电电气的断路器、接触器、变压器在机器人产业中具有广泛适用性，尤其适用于生产线配电保护、电机控制及电压适配环节?请董密核实一下，不要又是公司主要从事成套设备及电力电子、元器件等产品的研发、制造、销售和服务，这套说辞来打发我们投资者

12日收盘，IGBT概念概念板块指数报828.41点，涨幅0.76%，成交290.4亿元，换手2.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：紫光国微报70.70元，跌-1.23%。TCL中环报9.03元，跌-1.31%。威孚高科报26.10元，跌-6.18%。涨幅最大的前3个股为：广电电气报5.13元，涨10.09%；斯达半导报95.72元，涨5.38%；振华科技报53.30元，涨3.86%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

12日收盘，充电桩概念板块指数报2478.65点，涨幅1.50%，成交1165亿元，换手3.85%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：漳州发展报4.53元，跌-3.21%。银轮股份报31.28元，跌-3.84%。派诺科技报27.47元，跌-4.95%。涨幅最大的前3个股为：广电电气报5.13元，涨10.09%；森源电气报6.46元，涨10.05%；金杯电工报11.73元，涨10.04%。

充电桩概念与交流充电桩有密切关联，交流充电桩行业是随着新能源汽车的蓬勃发展而日益增长的一个领域。该行业不仅涵盖交流充电桩，还包括直流充电桩，这些设备为电动汽车提供充电服务，其作用类似于燃油车的加油站。从商业模式角度看，充电桩可分为自用、专用和公共三种，以适应不同场景和用户需求。充电桩的核心技术包括电力转换、智能控制模块和充电保护，这些技术共同确保了电能的安全有效转化和传输。交流充电桩与直流充电桩的主要差异在于充电速度和设施要求：交流充电桩充电时间较长，但设备成本较低；而直流充电桩则充电速度快，设备成本相对较高。随着新能源汽车销量的持续攀升及全球渗透率的不断提升，预计到2030年，新能源汽车的销量将超过半数，充电桩行业的发展前景极为广阔。未来，该行业可能会聚焦于提高充电速度、提升充电桩性能以及在材料使用上的创新，以应对市场需求的不断增长和技术挑战的日益严峻。

6日收盘，IGBT概念概念板块指数报816.45点，涨幅1.36%，成交271.6亿元，换手2.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：时代电气报46.29元，涨0.04%。国电南瑞报23.30元，跌-0.77%。ST华微报5.95元，跌-2.30%。涨幅最大的前3个股为：聚飞光电报7.21元，涨4.49%；广电电气报4.73元，涨4.19%；威孚高科报21.52元，涨3.11%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。