8日收盘，IGBT概念概念板块指数报687.55点，涨幅1.34%，成交297.2亿元，换手2.60%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：博菲电气报23.28元，跌-5.29%。博敏电子报6.75元，跌-5.33%。广电电气报3.76元，跌-6.00%。涨幅最大的前3个股为：黄山谷捷报49.00元，涨10.46%；中国中车报7.02元，涨10.03%；捷捷微电报26.80元，涨6.43%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极的电流，该电流量与施加到其基极的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块，即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），可靠性高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管则是一种封装较小的模块，体现了IGBT制造商的核心技术水平，其结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展呈现多元化格局。IGBT厂商主要分为IDM和Fabless两类，IDM厂商的上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域；而Fabless厂商的上游主要是设计厂商，中游为制造与封测厂商，下游同样为各应用领域。整个IGBT行业的上游包括晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备与服务。对于Fabless厂商而言，其上游还涉及晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游则以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户有比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要力量。在光伏领域，IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，随着光伏装机量的增长而需求迅速攀升；在新能源汽车领域，IGBT更是成为标配，随着新能源汽车的推广，其需求量进一步增长。