聚飞光电

20日收盘，IGBT概念概念板块指数报794.61点，跌幅-0.00%，成交257.2亿元，换手2.58%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报39.34元，跌-1.82%。TCL中环报8.95元，跌-1.86%。广电电气报4.52元，跌-6.61%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报43.31元，涨4.36%；闻泰科技报36.90元，涨3.86%；聚飞光电报7.21元，涨3.74%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。