20日收盘，IGBT概念概念板块指数报794.61点，跌幅-0.00%，成交257.2亿元，换手2.58%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报39.34元，跌-1.82%。TCL中环报8.95元，跌-1.86%。广电电气报4.52元，跌-6.61%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报43.31元，涨4.36%；闻泰科技报36.90元，涨3.86%；聚飞光电报7.21元，涨3.74%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块即智能功率模块，它集成了栅极驱动电路和各种保护电路，如热保护和过流保护，能防止过高升温和高压冲击对IGBT的损害，其可靠性较高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管封装模块较小，是体现IGBT制造商核心技术水平的产品，其结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展现状呈现多元化。IGBT厂商主要分为IDM和Fabless两种类型。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域。而Fabless厂商的上游则主要是设计厂商，中游同样包括制造与封测，下游也为各应用领域。整个IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游则以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户有比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要力量。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域的应用日益广泛；同时，在新能源汽车领域，随着电压、功率的大幅提升，IGBT已成为标配，新能源汽车的推广进一步推动了IGBT需求的增长。