派瑞股份

25日收盘，碳化硅概念板块指数报1330.06点，跌幅0.42%，成交84.89亿元，换手1.85%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报15.61元，跌-2.98%。晶升股份报32.01元，跌-3.44%。麦格米特报56.61元，跌-4.34%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报21.33元，涨4.25%；奔朗新材报10.64元，涨4.11%；甘化科工报7.78元，涨2.64%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

25日收盘，IGBT概念概念板块指数报791.86点，跌幅0.25%，成交184.6亿元，换手1.46%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.74元，跌-2.35%。利欧股份报3.77元，跌-2.58%。派瑞股份报15.61元，跌-2.98%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报6.60元，涨4.93%；振华科技报55.77元，涨4.65%；紫光国微报68.39元，涨3.46%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

25日收盘，碳基材料概念板块指数报829.92点，涨幅0.22%，成交56.12亿元，换手2.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：金博股份报28.80元，跌-1.97%。派瑞股份报15.61元，跌-2.98%。中天科技报14.98元，跌-4.22%。涨幅最大的前3个股为：银龙股份报6.45元，涨3.70%；中科电气报17.65元，涨3.58%；方大炭素报5.17元，涨1.97%。

财迅通3月24日讯，派瑞股份（300831.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：比亚迪的高压快充技术涉及高压芯片，请问公司高压半导体业务目前有参与吗，如果没有，未来是否打算布局高压充电半导体领域呢？

答：尊敬的投资者您好，公司产品主要应用于特高压直流输电领域及大功率电源变换等。公司将持续拓展新的应用领域和市场，积极推动公司业务发展，感谢您的关注！

问：请问贵公司是否有产品可应用于兆瓦快充领域？

答：尊敬的投资者您好，公司产品主要应用于特高压直流输电领域及大功率电源变换等。公司将持续拓展新的应用领域和市场，积极推动公司业务发展，感谢您的关注！

问：请问贵公司产品是否可应用于深海科技领域，是否有产品应用于数据中心领域？

答：尊敬的投资者您好，公司产品主要是高压大功率半导体器件、超大功率电源变换类设备、测试及非标设备，主要应用于特高压直流输电领域及大功率电源变换等。感谢您的关注！。

24日收盘，碳基材料概念板块指数报828.1点，跌幅2.12%，成交67.81亿元，换手3.19%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：露笑科技报7.92元，跌-4.23%。温州宏丰报5.91元，跌-4.83%。金博股份报29.38元，跌-4.98%。涨幅最大的前3个股为：中科电气报17.04元，涨2.65%；派瑞股份报16.09元，涨1.32%；方大炭素报5.07元，涨0.80%。

24日收盘，IGBT概念概念板块指数报793.83点，跌幅1.62%，成交211.1亿元，换手1.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报26.94元，跌-5.74%。天龙股份报17.44元，跌-5.78%。朗进科技报16.42元，跌-6.17%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.83元，涨6.39%；ST华微报6.29元，涨5.01%；派瑞股份报16.09元，涨1.32%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。

14日收盘，IGBT概念概念板块指数报826.12点，涨幅1.41%，成交277.2亿元，换手2.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.60元，跌-0.95%。振华科技报54.95元，跌-2.79%。民德电子报25.85元，跌-3.44%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报375.94元，涨6.05%；时代电气报48.57元，涨4.95%；东微半导报45.20元，涨4.10%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

14日收盘，碳化硅概念板块指数报1403.25点，涨幅1.47%，成交146.9亿元，换手3.06%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.60元，跌-0.95%。柘中股份报11.82元，跌-1.17%。奥瑞德报3.30元，跌-2.08%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报22.70元，涨9.98%；时代电气报48.57元，涨4.95%；芯朋微报52.33元，涨3.52%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

财迅通3月14日讯，派瑞股份（300831.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：您好。目前研发促进企业创新、推动社会发展的作用已经越来越深入人心，我观察到贵公司在23年年报中披露了当年的专利数，但是其中最能代表公司突破性创新的发明专利的授权数并没有单独列出来，请问能否更加清楚地披露出来？此外，市场上过多的研发投入可能与产出不匹配，造成资源浪费，请问贵公司的研发投入是否合理，是否有实质性产出？

答：尊敬的投资者您好，公司根据市场需求进行相应产品研发，研发方面建立了严格有效的管理体系，以确保研发资源的最大化利用。相关发明专利和研发项目的具体情况您可参看相关定期报告。感谢您的关注和建议！。

13日收盘，碳化硅概念板块指数报1382.86点，跌幅1.80%，成交184.0亿元，换手4.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：东尼电子报22.00元，跌-5.05%。芯朋微报50.55元，跌-5.66%。天岳先进报72.00元，跌-6.25%。涨幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.76元，涨2.51%；麦格米特报68.50元，涨2.39%；海希通讯报20.64元，涨1.88%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。