派瑞股份

7日收盘，碳基材料概念板块指数报712.1点，跌幅11.56%，成交50.57亿元，换手3.12%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报12.16元，跌-18.61%。温州宏丰报4.72元，跌-18.76%。翔丰华报23.23元，跌-19.65%。涨幅最大的前3个股为：德尔未来报4.89元，涨4.04%；国恩股份报23.29元，跌-6.84%；宝泰隆报2.29元，跌-9.84%。

财迅通4月1日讯，派瑞股份（300831.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：现在还有多少股东人数

答：尊敬的投资者您好，截至2025年3月31日，公司股东总数为35,430户。感谢您的关注。

问：请问截至3月31号股东人数是多少？

答：尊敬的投资者您好，截至2025年3月31日，公司股东总数为35,430户。感谢您的关注。

31日收盘，碳基材料概念板块指数报808.71点，跌幅1.11%，成交35.09亿元，换手1.99%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：宝泰隆报2.53元，跌-2.69%。派瑞股份报15.01元，跌-4.27%。德尔未来报4.62元，跌-4.35%。涨幅最大的前3个股为：信德新材报36.30元，涨3.95%；露笑科技报7.85元，涨1.03%；力合科创报8.73元，涨0.34%。

31日收盘，IGBT概念概念板块指数报773.39点，跌幅1.07%，成交171.9亿元，换手1.78%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：振华科技报53.75元，跌-3.48%。TCL中环报8.89元，跌-4.00%。派瑞股份报15.01元，跌-4.27%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.75元，涨3.31%；新洁能报34.17元，涨3.14%；黄山谷捷报54.80元，涨1.86%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

31日收盘，碳化硅概念板块指数报1298.43点，跌幅1.03%，成交94.99亿元，换手1.96%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报15.01元，跌-4.27%。海希通讯报18.71元，跌-5.74%。奔朗新材报10.03元，跌-7.47%。涨幅最大的前3个股为：麦格米特报60.84元，涨8.12%；新洁能报34.17元，涨3.14%；银河微电报23.75元，涨1.76%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

28日收盘，碳基材料概念板块指数报817.82点，跌幅1.47%，成交36.25亿元，换手1.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报15.68元，跌-3.57%。中科电气报16.18元，跌-4.37%。信德新材报34.92元，跌-7.59%。涨幅最大的前3个股为：德尔未来报4.83元，涨10.02%；露笑科技报7.77元，涨0.39%；金博股份报29.04元，跌-0.21%。

27日收盘，特高压概念板块指数报1836.72点，跌幅1.77%，成交210.5亿元，换手2.19%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：球冠电缆报12.10元，跌-10.10%。C新亚报22.99元，跌-10.61%。通光线缆报9.84元，跌-13.46%。涨幅最大的前3个股为：川润股份报10.51元，涨10.05%；佛塑科技报7.04元，涨4.45%；派瑞股份报16.26元，涨4.23%。

27日收盘，IGBT概念概念板块指数报793.35点，跌幅0.95%，成交192.9亿元，换手1.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：扬杰科技报46.25元，跌-7.28%。聚飞光电报6.37元，跌-7.81%。皇庭国际报3.49元，跌-10.05%。涨幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.26元，涨4.23%；比亚迪报386.50元，涨2.79%；中瓷电子报47.69元，涨1.68%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

27日收盘，碳基材料概念板块指数报829.99点，跌幅0.47%，成交38.28亿元，换手1.80%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：银龙股份报6.34元，跌-2.76%。德尔未来报4.39元，跌-2.88%。中科电气报16.92元，跌-3.15%。涨幅最大的前3个股为：信德新材报37.79元，涨6.81%；派瑞股份报16.26元，涨4.23%；金博股份报29.10元，涨0.69%。

27日收盘，碳化硅概念板块指数报1332.45点，跌幅0.32%，成交89.94亿元，换手1.89%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：柘中股份报11.70元，跌-2.17%。温州宏丰报6.04元，跌-2.42%。扬杰科技报46.25元，跌-7.28%。涨幅最大的前3个股为：派瑞股份报16.26元，涨4.23%；力源信息报10.25元，涨2.81%；芯朋微报50.60元，涨1.65%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件最为主要的原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。