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民德电子

氮化镓概念板块指数跌2.03%,成交246.3亿元

13日收盘,氮化镓概念板块指数报1303.46点,跌幅2.03%,成交246.3亿元,换手3.73%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:华峰测控报144.05元,跌-5.80%。显盈科技报30.80元,跌-5.87%。中恒电气报17.50元,跌-5.91%。涨幅最大的前3个股为:民德电子报26.77元,涨6.44%;和而泰报22.94元,涨3.01%;欧陆通报158.50元,涨1.41%。

13日第三代半导体板块跌1.73%,个股涨跌不一

13日收盘,第三代半导体概念板块指数报1408.72点,跌幅1.73%,成交509.3亿元,换手4.11%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:华峰测控报144.05元,跌-5.80%。中恒电气报17.50元,跌-5.91%。天岳先进报72.00元,跌-6.25%。涨幅最大的前3个股为:民德电子报26.77元,涨6.44%;宁新新材报13.92元,涨5.37%;ST华微报7.07元,涨5.05%。

IGBT概念板块指数跌1.66%,成交254.1亿

13日收盘,IGBT概念概念板块指数报814.65点,跌幅1.66%,成交254.1亿元,换手2.59%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:黄山谷捷报57.75元,跌-4.12%。利欧股份报4.09元,跌-4.88%。威孚高科报23.49元,跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为:民德电子报26.77元,涨6.44%;振华科技报56.53元,涨6.06%;ST华微报7.07元,涨5.05%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

移动支付板块指数跌1.62%,个股涨跌不一

13日收盘,移动支付概念板块指数报12199.78点,跌幅1.62%,成交495.8亿元,换手3.20%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:美格智能报50.20元,跌-5.83%。华工科技报43.03元,跌-5.86%。广和通报32.64元,跌-6.74%。涨幅最大的前3个股为:新开普报20.59元,涨19.99%;民德电子报26.77元,涨6.44%;*ST仁东报5.51元,涨4.95%。

电子身份证板块微跌,个股涨跌不一

11日收盘,电子身份证概念板块指数报1292.91点,跌幅0.58%,成交142.4亿元,换手4.51%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:恒宝股份报7.06元,跌-2.89%。汉威科技报46.92元,跌-3.89%。东方集团报1.03元,跌-9.65%。涨幅最大的前3个股为:精伦电子报4.24元,涨6.53%;启明星辰报19.42元,涨4.97%;民德电子报24.74元,涨1.56%。

民德电子:已回购0.0151万股

财迅通3月9日消息,民德电子(300656.SZ)下午发布公告,截至2025年2月28日,民德电子已回购股份15.05万股,占总股本的0.0879%,回购价格区间为17.08元至17.75元/股,累计回购金额为260.25万元。

民德电子于2024年4月19日经第三届董事会第三十一次会议及第三届监事会第二十四次会议审议,决定使用自有资金回购股份,回购资金总额不低于3000万元且不超过6000万元,实施期限为董事会审议通过之日起12个月内,回购价格不超过30.16元/股,回购目的为用于股权激励和员工持股计划。

截止03月07日民德电子总股本为17,112.51万股。

民德电子:公司有AI技术储备,开发AI视觉产品

财迅通3月7日讯,民德电子(300656.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:董秘您好,RISC-V架构芯片具备开源、低功耗、高性能的优势,是行业的发展趋势,商业前景广阔,请问贵司有没RISC-V芯片设计开发能力和相关芯片产品呢?

答:您好,感谢您的提问。公司目前暂无RISC-V相关产品。感谢您的关注!

问:董秘您好,deepseek等AI技术开始广泛应用于各行各业中,智能化是行业的发展趋势,请问贵司在AI终端、AI物联网方面有没规划布局?这领域公司有没技术优势?

答:您好,感谢您的提问。公司自2004年成立以来,深耕条码识读领域,拥有多项重要技术储备;基于Ai的数字图像算法,公司升级后的AiDC(Artificial Intelligence & Data Capture,人工智能&数据采集)事业部,以Ai+CIS机器视觉技术平台,提供条码识读、OCR、器件颜色、尺寸、形状等各种数据采集解决方案,不断开发面向工业、医疗领域的智能读码器、AI视觉传感器等新产品,持续增强自身竞争力。感谢您的关注!。

民德电子:公司车规级产品已小批量生产并送样测试

财迅通2月28日讯,民德电子(300656.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:请问公司的车规级芯片,是否已经量产?谢谢!

答:您好,感谢您的提问。广芯微电子已于2024年9月获得了IATF16949:2016(国际汽车行业质量管理体系)符合证明函和ISO9001:2015质量体系认证证书,目前车规级产品已有小批量生产,并在汽车行业客户进行送样测试。感谢您的关注!。

IGBT概念板块指数涨1.02%,成交267.8亿

26日收盘,IGBT概念概念板块指数报820.63点,涨幅1.02%,成交267.8亿元,换手2.36%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:科威尔报30.96元,跌-0.61%。扬杰科技报46.34元,跌-0.66%。民德电子报25.17元,跌-0.67%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.49元,涨10.09%;东微半导报46.35元,涨3.92%;TCL中环报9.45元,涨3.39%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成,产生三个连接端子,分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此其作用类似于电流控制开关。