新洁能

18日收盘，碳化硅概念板块指数报1228.41点，涨幅0.17%，成交58.68亿元，换手1.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：新洁能报31.22元，跌-1.27%。星球石墨报23.80元，跌-2.46%。奔朗新材报10.85元，跌-3.04%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报21.10元，涨8.15%；立霸股份报11.60元，涨3.39%；奥瑞德报2.55元，涨2.82%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

16日收盘，碳化硅概念板块指数报1220.78点，跌幅1.26%，成交77.16亿元，换手1.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：麦格米特报47.01元，跌-3.96%。科创新源报21.63元，跌-4.29%。海希通讯报19.41元，跌-6.05%。涨幅最大的前3个股为：芯朋微报52.32元，涨5.21%；华润微报47.30元，涨2.94%；新洁能报31.93元，涨1.33%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

2日收盘，碳化硅概念板块指数报1312.34点，涨幅0.05%，成交64.63亿元，换手1.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奔朗新材报10.09元，跌-1.46%。新洁能报34.58元，跌-1.96%。科创新源报26.44元，跌-3.04%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报19.88元，涨4.03%；麦格米特报62.24元，涨3.61%；扬杰科技报47.64元，涨2.76%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

2日收盘，IGBT概念概念板块指数报780.04点，涨幅0.46%，成交135.8亿元，换手1.11%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：比亚迪报360.50元，跌-1.37%。新洁能报34.58元，跌-1.96%。皇庭国际报3.37元，跌-3.44%。涨幅最大的前3个股为：天龙股份报18.71元，涨9.99%；赛伍技术报10.78元，涨2.76%；扬杰科技报47.64元，涨2.76%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中常用的是增强型的NMOS和增强型的PMOS。BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

1日收盘，汽车芯片概念板块指数报1120.97点，涨幅0.15%，成交200.6亿元，换手1.91%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：佰维存储报69.83元，跌-2.35%。普冉股份报107.00元，跌-2.44%。翱捷科技-U报98.17元，跌-3.28%。涨幅最大的前3个股为：思瑞浦报123.41元，涨4.42%；纳芯微报145.99元，涨4.06%；新洁能报35.27元，涨3.22%。

1日收盘，IGBT概念概念板块指数报776.5点，涨幅0.40%，成交161.9亿元，换手1.33%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-1.67%。比亚迪报365.50元，跌-2.51%。皇庭国际报3.49元，跌-6.93%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报55.70元，涨3.63%；新洁能报35.27元，涨3.22%；博菲电气报27.39元，涨2.97%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能够控制从发射极流向集电极的电流，该电流量与施加到其基极的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

1日收盘，碳化硅概念板块指数报1311.67点，涨幅1.02%，成交74.52亿元，换手1.39%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奥瑞德报2.85元，跌-0.70%。时代电气报46.77元，跌-1.06%。麦格米特报60.07元，跌-1.27%。涨幅最大的前3个股为：新洁能报35.27元，涨3.22%；楚江新材报9.06元，涨3.19%；天岳先进报63.83元，涨2.95%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

31日收盘，IGBT概念概念板块指数报773.39点，跌幅1.07%，成交171.9亿元，换手1.78%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：振华科技报53.75元，跌-3.48%。TCL中环报8.89元，跌-4.00%。派瑞股份报15.01元，跌-4.27%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.75元，涨3.31%；新洁能报34.17元，涨3.14%；黄山谷捷报54.80元，涨1.86%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

31日收盘，碳化硅概念板块指数报1298.43点，跌幅1.03%，成交94.99亿元，换手1.96%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报15.01元，跌-4.27%。海希通讯报18.71元，跌-5.74%。奔朗新材报10.03元，跌-7.47%。涨幅最大的前3个股为：麦格米特报60.84元，涨8.12%；新洁能报34.17元，涨3.14%；银河微电报23.75元，涨1.76%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

20日收盘，碳化硅概念板块指数报1388.47点，跌幅0.80%，成交103.3亿元，换手2.32%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：力源信息报10.96元，跌-2.75%。海希通讯报22.69元，跌-7.50%。奔朗新材报10.49元，跌-7.82%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报49.71元，涨2.90%；新洁能报35.50元，涨1.52%；甘化科工报7.88元，涨1.16%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。