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黄山谷捷

IGBT概念板块指数跌1.46%,成交151.1亿

28日收盘,IGBT概念概念板块指数报781.79点,跌幅1.46%,成交151.1亿元,换手1.45%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:广电电气报4.47元,跌-3.66%。博菲电气报26.96元,跌-3.75%。黄山谷捷报53.80元,跌-4.78%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.63元,涨4.01%;ST华微报6.89元,涨0.73%;扬杰科技报46.33元,涨0.17%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

IGBT概念板块指数跌1.11%,成交214.9亿

19日收盘,IGBT概念概念板块指数报828.7点,跌幅1.11%,成交214.9亿元,换手1.78%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:斯达半导报94.57元,跌-2.35%。黄山谷捷报62.36元,跌-3.09%。ST华微报6.63元,跌-3.77%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.75元,涨3.31%;比亚迪报397.07元,涨3.25%;TCL中环报9.15元,涨1.22%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道、N沟道4种类型,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,形成三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。

IGBT概念板块指数跌1.66%,成交254.1亿

13日收盘,IGBT概念概念板块指数报814.65点,跌幅1.66%,成交254.1亿元,换手2.59%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:黄山谷捷报57.75元,跌-4.12%。利欧股份报4.09元,跌-4.88%。威孚高科报23.49元,跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为:民德电子报26.77元,涨6.44%;振华科技报56.53元,涨6.06%;ST华微报7.07元,涨5.05%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

黄山谷捷:公司销售经营情况以定期报告为准

财迅通3月6日讯,黄山谷捷(301581.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:尊敬的董秘,您好!据公开信息乘联分会消息,根据月度初步数据综合预估:2月全国新能源乘用车厂商批发销量84万辆,同比增长82%,环比下降5%;今年1-2月累计批发173万辆,同比增长49%。请问公司目前的销售经营情况如何,能否同步于该数据。谢谢!

答:尊敬的投资者,您好!公司生产经营情况请以定期报告披露的内容为准,感谢您对公司的支持与关注。

IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,行业需求持续增长

5日收盘,IGBT概念概念板块指数报805.46点,跌幅0.24%,成交267.6亿元,换手2.72%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:黄山谷捷报57.15元,跌-2.59%。赛伍技术报10.56元,跌-2.76%。皇庭国际报3.67元,跌-5.66%。涨幅最大的前3个股为:利欧股份报4.16元,涨4.79%;ST华微报6.09元,涨4.46%;比亚迪报353.96元,涨2.64%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成,产生三个连接端子,分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此其作用类似于电流控制开关。

黄山谷捷:公司将关注AI智算中心领域,规划业务

财迅通3月4日讯,黄山谷捷(301581.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:董秘您好,请问贵司的产品是否可用于AI智算中心的液冷服务器、电力设备的散热中?

答:您好。公司将围绕功率半导体散热基板应用,积极开拓新的业务领域。感谢您的关注!

问:董秘您好,目前贵司在新能源领域的市占率已经处于较高水平,是否有意向拓展业务至AI智算中心领域?智算中心很多设备都需要进行散热,有望开启营收的第二增长极。

答:尊敬的投资者,您好!公司会积极关注行业动态,根据实际情况做好战略和业务规划,感谢您对公司的支持与关注。

IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,行业应用广泛

27日收盘,IGBT概念概念板块指数报815.24点,跌幅0.66%,成交287.2亿元,换手2.60%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:利欧股份报4.23元,跌-2.98%。台基股份报36.24元,跌-3.13%。皇庭国际报3.38元,跌-3.15%。涨幅最大的前3个股为:时代电气报46.77元,涨5.84%;ST华微报5.57元,涨5.09%;黄山谷捷报59.57元,涨2.65%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。

黄山谷捷:公司未提供2024年铜针散热板市场及占有率信息

财迅通2月25日讯,黄山谷捷(301581.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:请问贵公司产品在储能及新能源发电领域是否得到运用?该领域市场情景如何?

答:您好。公司的产品铜平底散热基板目前已应用于新能源发电、储能等新兴领域。随着大功率半导体在风力发电、光伏发电、储能等领域的广泛运用,平底散热基板市场空间日益广阔。感谢您的关注。

问:2024年全球铜针散热板市场是多大?我们公司2024年市场占有率多少?

答:您好。相关信息请关注公司定期报告。感谢您的关注。

IGBT概念板块微涨,个股涨跌互现,行业发展多元化

24日收盘,IGBT概念概念板块指数报815.13点,涨幅0.14%,成交351.1亿元,换手3.59%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:捷捷微电报36.74元,跌-1.87%。黄山谷捷报58.31元,跌-2.02%。东微半导报44.35元,跌-2.42%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报21.35元,涨8.60%;ST华微报5.08元,涨4.53%;利欧股份报4.57元,涨4.10%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

IGBT概念板块指数涨2.44%,成交418.3亿

21日收盘,IGBT概念概念板块指数报813.98点,涨幅2.44%,成交418.3亿元,换手3.53%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:天龙股份报16.87元,跌-0.88%。皇庭国际报3.26元,跌-1.21%。博菲电气报29.27元,跌-1.98%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报19.66元,涨10.02%;黄山谷捷报59.51元,涨9.19%;台基股份报37.70元,涨9.02%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,形成三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件,能够控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。