IGBT概念板块指数跌1.46%,成交151.1亿
28日收盘,IGBT概念概念板块指数报781.79点,跌幅1.46%,成交151.1亿元,换手1.45%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:广电电气报4.47元,跌-3.66%。博菲电气报26.96元,跌-3.75%。黄山谷捷报53.80元,跌-4.78%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.63元,涨4.01%;ST华微报6.89元,涨0.73%;扬杰科技报46.33元,涨0.17%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。