25日收盘，IGBT概念概念板块指数报812.33点，跌幅0.34%，成交301.7亿元，换手2.81%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：捷捷微电报35.91元，跌-2.26%。广电电气报4.48元，跌-2.61%。利欧股份报4.38元，跌-4.16%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报5.26元，涨3.54%；民德电子报25.34元，涨2.63%；立昂微报26.32元，涨2.21%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，有三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)，它是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。
24日收盘，IGBT概念概念板块指数报815.13点，涨幅0.14%，成交351.1亿元，换手3.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：捷捷微电报36.74元，跌-1.87%。黄山谷捷报58.31元，跌-2.02%。东微半导报44.35元，跌-2.42%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报21.35元，涨8.60%；ST华微报5.08元，涨4.53%；利欧股份报4.57元，涨4.10%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
财迅通2025年02月20日讯，ST华微（600360.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。
问：贵公司实控人是谁，采取什么措施来解决大股东占用资金问题，是否已有效果？
答：答：尊敬的投资者您好，一方面，公司在已实施完成的2023年年度权益分派工作中，将上海鹏盛的现金红利调整为由公司按照有关规定处置；另一方面，公司前期已向控股股东发函，要求其限期偿还占用公司的资金，控股股东表示愿意积极配合落实解决非经营性资金占用问题。近期，上海鹏盛将持有的本公司的全部股份质押给公司全资子公司麦吉柯，作为上海鹏盛履行占用资金归还义务的担保，该质权将全部用于补偿公司因资金占用事项造成的损失。后续相关进展请以公司在指定信息披露媒体及上交所网站发布的公告为准，感谢您的关注！
问：董秘你好。公司内控制度缺陷整改进展是否在2024年度财报审计内完成？谢谢回复！
答：答：尊敬的投资者您好，公司于2024年5月6日起被实施其他风险警示后，已成立自查整改工作小组，制定了自查整改计划，对相关事项积极开展专项自查工作。整改进展相关信息请以公司在指定信息披露媒体及上交所网站发布的后续公告为准。感谢您的关注！
14日收盘，东北振兴概念板块指数报1090.54点，跌幅0.54%，成交126.8亿元，换手2.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：大连圣亚报28.69元，跌-4.84%。ST华微报4.71元，跌-5.04%。大连友谊报6.10元，跌-6.15%。涨幅最大的前3个股为：梦网科技报22.86元，涨10.01%；东软集团报12.13元，涨6.59%；*ST信通报3.99元，涨5.00%。
14日收盘，半导体概念概念板块指数报1574.57点，跌幅0.28%，成交1618亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长光华芯报59.58元，跌-4.75%。ST华微报4.71元，跌-5.04%。惠丰钻石报36.10元，跌-5.74%。涨幅最大的前3个股为：飞利信报7.19元，涨20.03%；兴森科技报12.61元，涨10.03%；灿芯股份报80.30元，涨9.36%。
半导体概念与半导体设备有密切关联，半导体设备是指用于制造半导体材料、芯片和器件的设备，其主要功能是在晶体管制造过程中完成材料的加工、附着、刻蚀和清洗等工艺步骤，以及对芯片进行测试和筛选等操作。半导体设备的性能和技术水平直接决定了半导体制造领域的发展和竞争力。应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类，其中晶圆制造设备的市场规模占集成电路设备整体市场规模的80%以上。在前道晶圆制造中，包含氧化/扩散、光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗与抛光、金属化七大工艺步骤，对应的设备有氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、清洗设备、机械抛光设备等，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备。
14日收盘，ST股概念板块指数报5363.23点，跌幅0.10%，成交65.10亿元，换手1.58%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报4.71元，跌-5.04%。*ST工智报2.82元，跌-5.05%。*ST普利报2.66元，跌-5.34%。涨幅最大的前3个股为：*ST同洲报5.00元，涨5.04%；*ST信通报3.99元，涨5.00%；ST加加报4.62元，涨5.00%。
14日收盘，IGBT概念概念板块指数报783.19点，跌幅0.04%，成交289.0亿元，换手3.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：台基股份报34.59元，跌-1.82%。ST华微报4.71元，跌-5.04%。利欧股份报4.37元，跌-7.42%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报356.05元，涨4.32%；黄山谷捷报54.55元，涨3.02%；国电南瑞报23.69元，涨2.78%。
IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT，即双极结型晶体管，基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。
14日收盘，LED概念板块指数报3158.68点，跌幅0.03%，成交334.4亿元，换手2.63%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报4.71元，跌-5.04%。光莆股份报14.42元，跌-5.19%。茂硕电源报10.48元，跌-5.76%。涨幅最大的前3个股为：深桑达Ａ报23.97元，涨10.00%；宝明科技报62.32元，涨6.49%；雷特科技报36.27元，涨5.44%。
LED概念与LED显示有密切关联，LED显示行业最常用的定义是指使用LED（发光二极管）作为显示元件的显示屏幕，产品包括但不限于户外广告牌、电视屏幕、手机屏幕、电脑显示器以及各种智能设备显示屏等。该行业的主要特性在于其产品具有高亮度、长寿命、高可靠性、低功耗以及环保等优点，因此LED显示产品在广告宣传、信息展示、娱乐传媒以及工业控制等许多领域中得到广泛应用。
LED显示行业可以根据应用领域的不同进行分类，主要分为室内显示和室外显示两大类。室内显示主要应用于商业广告、展览展示、会议室、舞台演出等场合，其特点是像素密度高、色彩鲜艳、亮度适中，非常适合近距离观看。而室外显示则主要应用于户外广告牌、体育场馆、交通指示牌等场合，这类显示产品需要具备防水、防尘、耐高温、抗紫外线等特性，并且亮度要高，以适应各种复杂环境下的观看需求。