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振华科技

IGBT概念板块指数跌1.07%,成交171.9亿

31日收盘,IGBT概念概念板块指数报773.39点,跌幅1.07%,成交171.9亿元,换手1.78%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:振华科技报53.75元,跌-3.48%。TCL中环报8.89元,跌-4.00%。派瑞股份报15.01元,跌-4.27%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.75元,涨3.31%;新洁能报34.17元,涨3.14%;黄山谷捷报54.80元,涨1.86%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

被动元件板块微跌0.57%,个股涨跌不一

31日收盘,被动元件概念板块指数报1289.65点,跌幅0.57%,成交65.80亿元,换手2.08%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:宏达电子报37.93元,跌-2.47%。振华科技报53.75元,跌-3.48%。高斯贝尔报5.61元,跌-3.61%。涨幅最大的前3个股为:商络电子报11.63元,涨3.01%;三环集团报39.64元,涨2.03%;伊戈尔报18.62元,涨1.80%。

被动元件板块微涨,个股涨跌不一

26日收盘,被动元件概念板块指数报1317.01点,涨幅0.17%,成交79.15亿元,换手1.78%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:福晶科技报34.58元,跌-1.59%。国瓷材料报18.84元,跌-1.62%。*ST东晶报5.30元,跌-5.02%。涨幅最大的前3个股为:振华科技报57.64元,涨3.35%;高斯贝尔报6.09元,涨2.35%;火炬电子报41.38元,涨1.82%。

振华科技:公司产品可应用于人形机器人

财迅通3月25日讯,振华科技(000733.SZ)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:普遍共识认为,未来人形机器人的数量将远超汽车,请问董秘,公司的产品可以用在人形机器人上吗?现在是否已经有这方面的应用?谢谢!

答:您好,公司产品可应用于人形机器人;公司将积极关注机器人产业发展趋势,会结合自身及市场情况,保持开放的态度与领域内优秀企业开展合作,积极拓展市场机遇。感谢您对公司的关注,请注意投资风险。

IGBT概念板块微跌,个股涨跌互现,行业发展多元化

25日收盘,IGBT概念概念板块指数报791.86点,跌幅0.25%,成交184.6亿元,换手1.46%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.74元,跌-2.35%。利欧股份报3.77元,跌-2.58%。派瑞股份报15.61元,跌-2.98%。涨幅最大的前3个股为:ST华微报6.60元,涨4.93%;振华科技报55.77元,涨4.65%;紫光国微报68.39元,涨3.46%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

超级电容行业指数微涨,个股涨跌互现,发展前景看好

25日收盘,超级电容概念板块指数报3614.44点,涨幅0.37%,成交151.8亿元,换手3.61%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:泰尔股份报8.07元,跌-4.04%。中信重工报5.55元,跌-4.15%。中天科技报14.98元,跌-4.22%。涨幅最大的前3个股为:赛摩智能报9.92元,涨9.73%;宏达电子报41.47元,涨8.93%;振华科技报55.77元,涨4.65%。

IGBT概念板块涨幅1.41%,成交277.2亿

14日收盘,IGBT概念概念板块指数报826.12点,涨幅1.41%,成交277.2亿元,换手2.24%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:派瑞股份报16.60元,跌-0.95%。振华科技报54.95元,跌-2.79%。民德电子报25.85元,跌-3.44%。涨幅最大的前3个股为:比亚迪报375.94元,涨6.05%;时代电气报48.57元,涨4.95%;东微半导报45.20元,涨4.10%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。

深成500指数涨1.79%,个股涨跌不一

14日收盘,深成500概念板块指数报1162.38点,涨幅1.79%,成交4383亿元,换手2.08%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:振华科技报54.95元,跌-2.79%。航天电器报57.88元,跌-4.72%。航锦科技报28.54元,跌-5.31%。涨幅最大的前3个股为:胜宏科技报82.00元,涨14.30%;天茂集团报4.13元,涨10.13%;酒鬼酒报51.88元,涨10.01%。

MSCI中国概念板块涨1.81%,个股涨跌不一

14日收盘,MSCI中国概念板块指数报1207.64点,涨幅1.81%,成交6349亿元,换手0.92%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:振华科技报54.95元,跌-2.79%。复旦微电报50.85元,跌-2.96%。航天电器报57.88元,跌-4.72%。涨幅最大的前3个股为:胜宏科技报82.00元,涨14.30%;水井坊报53.32元,涨10.01%;舍得酒业报59.59元,涨10.01%。

振华科技:公司订单增长,将拓展业务并强化民品战略

财迅通讯,3月14日振华科技发布公告,公司于3月13日接受国华卫星基金等机构调研,董事会秘书、总会计师 胡光文,证券事务代表 崔磊等等回答了调研机构提出的问题。

振华科技表示,公司目前新签订单增长,将积极组织生产确保交付。尽管2024年受行业波动影响业绩阶段性下滑,但市场份额未变,未来需求将向头部聚集。为应对产品价格下降,公司将加大技改和研发投入,提升产品性能和质量,并加快数字化转型降本增效。同时,公司在民用产品领域取得突破,持续拓展新兴市场。展望2025年,公司将围绕四大业务板块推动产业升级,扩展产业链,并强化民品战略地位,打造新的经济增长点。关于并购重组,公司将利用机遇多方式拓展产业链,并严格按照规定履行信息披露。此外,集团公司要求控股上市公司深化市值管理,增强价值创造,控股股东正对公司实施增持。在股权激励方面,公司将根据发展需要选择合适方式吸引和激励人才,并依法履行信息披露义务。

截至发稿,振华科技总市值为304.52亿元,市盈率TTM为24.01,每股净资产为26.04元。


投资者活动主要内容详情如下:

1.公司目前订单情况?