维科精密

IGBT概念板块微涨，个股涨跌互现，行业发展多元化

23日收盘，IGBT概念概念板块指数报758.15点，涨幅0.24%，成交238.8亿元，换手1.98%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-2.75%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报371.99元，涨4.83%；天龙股份报20.08元，涨4.69%；维科精密报22.92元，涨3.66%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

维科精密：公司生产经营正常，无退市计划，资金链安全

财迅通4月21日讯，维科精密（301499.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：请问为什么不响应国家号召增持股票？是出于什么原因和考虑不响应？是否公司出现以下问题：1、准备申请私有化退市；2、目前企业内部资金链问题；3：上市前报表真实情况问题；4：目前股价远高于增持价格；5：企业实控人是新加坡人无需听从国内号召；6：企业实控人想相应美国号召搬厂到美国生产和上市？请仔细阅读每个字后不敷衍的如实回复，谢谢！

答：您好，公司没有退市计划，公司生产经营情况正常，资金链安全，公司报表真实，公司的实际控制人与高管一起做好公司的战略规划和日常运营工作，勤勉尽责，为公司的发展贡献力量，维护广大投资者利益。谢谢！。

维科精密：公司未增持股票，将按监管要求及时披露增持计划

财迅通4月16日讯，维科精密（301499.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：请问公司为什么没有响应国家的号召增持公司的股票？

答：您好，公司如有增持相关计划，将严格按照监管要求，履行审议程序并及时披露。公司将持续优化内部治理结构，提升运营效率，确保公司长期稳定发展。谢谢！。

IGBT概念板块指数微跌，个股涨跌互现，行业应用广泛

16日收盘，IGBT概念概念板块指数报744.42点，跌幅0.64%，成交189.6亿元，换手1.41%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报21.64元，跌-2.61%。博菲电气报25.36元，跌-2.76%。威孚高科报18.64元，跌-2.82%。涨幅最大的前3个股为：天龙股份报19.65元，涨4.24%；华润微报47.30元，涨2.94%；士兰微报24.29元，涨1.63%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中常用的是增强型的NMOS和PMOS。BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

维科精密：公司出口美国收入占比低，关税贸易战无重大影响

财迅通4月9日讯，维科精密（301499.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：董秘你好，公司股价下跌，??很多投资者担心美国加征关税会对公司带来重大影响，请问贵司对美国的出口业务占比多大？公司受到关税贸易战的影响到底多大？请明确回复

答：您好，公司直接出口到美国的收入占比整体收入比例低于3%。公司从美国采购的原材料和零部件占公司总采购的比例也低于1%。本轮加征关税及国内反制措施对公司业务没有重大影响。公司将进一步加大在其他海外市场和国内市场的开拓力度，通过拓展新的市场渠道，寻找更多的业务增长点，谢谢！。

IGBT概念板块指数大跌12.32%，成交276.9亿

7日收盘，IGBT概念概念板块指数报678.43点，跌幅12.32%，成交276.9亿元，换手1.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报20.18元，跌-19.98%。台基股份报23.98元，跌-19.99%。黄山谷捷报44.36元，跌-20.00%。涨幅最大的前3个股为：国电南瑞报21.86元，跌-2.10%；振华科技报56.71元，跌-2.44%；天龙股份报17.96元，跌-4.72%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

IGBT概念板块指数微跌，个股表现分化

3日收盘，IGBT概念概念板块指数报773.72点，跌幅0.81%，成交148.4亿元，换手1.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报34.37元，跌-2.44%。银河微电报23.40元，跌-2.74%。维科精密报25.22元，跌-3.11%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报58.13元，涨3.93%；ST华微报7.10元，涨3.05%；国电南瑞报22.33元，涨1.96%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。