IGBT概念板块指数跌1.62%，成交211.1亿
24日收盘，IGBT概念概念板块指数报793.83点，跌幅1.62%，成交211.1亿元，换手1.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报26.94元，跌-5.74%。天龙股份报17.44元，跌-5.78%。朗进科技报16.42元，跌-6.17%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.83元，涨6.39%；ST华微报6.29元，涨5.01%；派瑞股份报16.09元，涨1.32%。
IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。
