碳化硅板块微涨,个股涨跌互现,行业发展备受关注
29日收盘,碳化硅概念板块指数报1238.0点,涨幅0.25%,成交76.32亿元,换手1.55%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:柘中股份报12.92元,跌-2.56%。东尼电子报15.57元,跌-3.35%。麦格米特报43.03元,跌-9.58%。涨幅最大的前3个股为:海希通讯报18.98元,涨4.17%;晶升股份报29.30元,涨4.05%;ST易事特报3.40元,涨2.41%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。